LOCAL BURIED LAYER FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SUCH A LAYER

• Main Authors: SAARNILEHTO, EERO, SONSKY, JAN
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 10.12.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention discloses a method of forming a local buried layer (32) in a silicon substrate (10), comprising forming a plurality of trenches (12, 22) in the substrate, including a first trench (22) having a width preventing sealing of the first trench in a silicon migration anneal step and at least one further trench (12) connected to the first trench; exposing the substrate (10) to said anneal step, thereby converting the at least one further trench (12) by means of silicon migration into at least one tunnel (16) accessible via the first trench (22); and forming the local buried layer (32) by filling the at least one tunnel (16) with a material (26, 28, 46) via the first trench (22). Preferably, the method is used to form a semiconductor device having a local buried layer (32) comprising a doped epitaxial silicon plug (26), said plug and the first trench (22) being filled with a material (28) having a higher conductivity than the doped epitaxial silicon (26). La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche enterrée locale (32) dans un substrat en silicium (10). Le procédé comprend : la formation d'une pluralité de tranchées (12, 22) dans le substrat, y compris une première tranchée (22) ayant une largeur empêchant le scellement de la première tranchée lors d'une migration du silicium pendant une étape de recuit et au moins une tranchée supplémentaire (12) connectée à la première tranchée ; l'exposition du substrat (10) à ladite étape de recuit, ce qui permet de convertir la ou les tranchées supplémentaires (12) à l'aide d'une migration du silicium en au moins un tunnel (16) accessible par l'intermédiaire de la première tranchée (22) ;  et la formation de la couche enterrée locale (32) en remplissant le ou les tunnels (16) d'un matériau (26, 28, 46) par le biais de la première tranchée (22). De préférence, le procédé est utilisé pour former un dispositif à semi-conducteur disposant d'une couche enterrée locale (32) comprenant un tampon de silicium épitaxial dopé (26), ledit tampon et la première tranchée (22) étant remplis d'un matériau (28) ayant une conductivité supérieure au silicium épitaxial dopé (26).