MULTILAYER MIRROR AND LITHOGRAPHIC APPARATUS
A multilayer mirror is constructed and arranged to reflect radiation having a wavelength in the range of 2-8 nm. The multilayer mirror has alternating layers selected from the group consisting of: Cr and Sc layers, Cr and C layers, C and B4C layers, U and B4C layers, Th and B4C layers, C and B9C lay...
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
10.12.2009
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Summary: | A multilayer mirror is constructed and arranged to reflect radiation having a wavelength in the range of 2-8 nm. The multilayer mirror has alternating layers selected from the group consisting of: Cr and Sc layers, Cr and C layers, C and B4C layers, U and B4C layers, Th and B4C layers, C and B9C layers, La and B9C layers U and B9C layers, Th and B9C layers, La and B layers, C and B layers, U and B layers, and Th and B layers.
L'invention concerne un miroir multicouche qui est construit et agencé pour réfléchir un rayonnement ayant une longueur d'onde située dans la plage de 2 à 8 nm. Le miroir multicouche comporte des couches alternées choisies parmi le groupe constitué de : couches de Cr et de Sc, des couches de Cr et de C, des couches de C et B4C, des couches de U et de B4C, des couches de Th et de B4C, des couches de C et de B9C, des couches de La et de B9C, des couches de U et de B9C, des couches de Th et de B9C, des couches de La et de B, des couches de C et de B, des couches de U et de B et des couches de Th et de B. |
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Bibliography: | Application Number: WO2009EP56130 |