CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Disclosed is a connecting material that, even when joined at a curing temperature of 200°C or below without applying a load, has a high coefficient of thermal conductivity and has a satisfactory bonding strength even when a cured product is heated at 260°C. Also disclosed is a semiconductor device...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
05.11.2009
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Summary: | Disclosed is a connecting material that, even when joined at a curing temperature of 200°C or below without applying a load, has a high coefficient of thermal conductivity and has a satisfactory bonding strength even when a cured product is heated at 260°C. Also disclosed is a semiconductor device using the connecting material. The connecting material contains metal particles having an oxygen state ratio of less than 15% as measured by X-ray photoelectron spectroscopy. In particular, the connecting material contains metal particles subjected to treatment for removing an oxide film present on the surface thereof and to surface treatment with a surface protective material.
La présente invention concerne un matériau de connexion qui, même lorsqu'il est joint à une température de durcissement de 200 °C ou moins sans l'application d'une charge, présente un coefficient élevé de conductivité thermique et présente une résistance de liaison satisfaisante même lorsqu'un produit durci est chauffé à 260 °C. L'invention concerne également un dispositif semi-conducteur utilisant le matériau de connexion. Le matériau de connexion contient des particules métalliques présentant un taux d'état d'oxygène inférieur à 15 %, comme cela est mesuré par spectroscopie photoélectronique des rayons X. En particulier, le matériau de connexion contient des particules métalliques soumises à un traitement permettant d'enlever le film d'oxyde se trouvant à la surface de celui-ci et de traiter la surface avec un matériau de protection de surface. |
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Bibliography: | Application Number: WO2009JP58375 |