THIN-FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD, AND THIN-FILM TRANSISTOR

• Main Authors: ISHIBASHI, SATORU, TAKASAWA, SATORU, MASUDA, TADASHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.10.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a metal wiring film that does not peel-off even if exposed to hydrogen plasma. The metal wiring film (20a) is comprised of a cohesive layer (51) in which aluminum is added to copper, and a low-resistance metal layer (52) comprised of pure copper and disposed on the cohesive layer (51). A copper alloy containing aluminum and oxygen is included in the cohesive layer (51), and the source electrode film (27) and the drain electrode film (28) are both adhered to the silicon layer in the configuration, and thereby copper is not precipitated on the interface between the cohesive layer (51) and the silicon layer, and no peeling occurs between the cohesive layer (51) and the silicon layer, even if exposed to hydrogen plasma. Therefore, as the amount of aluminum increases, the widths of the cohesive layer (51) and the metal low-resistance layer (52) differ significantly after etching, and the maximum amount that can be added while still allowing etching is the upper limit. La présente invention concerne un film de câblage métallique qui ne se décolle pas même lors de l'exposition à un plasma d'hydrogène. Le film de câblage métallique (20a) est constitué d'une couche cohésive (51) dans laquelle de l'aluminium est ajouté à du cuivre et d'une couche métallique de faible résistance (52) constituée de cuivre pur et disposée sur la couche cohésive (51). Un alliage du cuivre contenant de l'aluminium et de l'oxygène est inclus dans la couche cohésive (51) et le film d'électrode source (27) et le film d'électrode drain (28) sont tous deux collés à la couche de silicium dans la configuration. De cette manière le cuivre n'est pas précipité sur l'interface entre la couche cohésive (51) et la couche de silicium et il n'y pas de décollement entre la couche cohésive (51) et la couche de silicium, même lors de l'exposition à un plasma d'hydrogène. Par conséquent, étant donné que la quantité d'aluminium augmente, les largeurs de la couche cohésive (51) et de la couche métallique de faible résistance (52) diffèrent significativement après gravure et la quantité maximale qui peut être ajoutée, tout en permettant encore la gravure, est la limite supérieure.