METHODS AND SYSTEMS FOR DETERMINING A DEFECT CRITICALITY INDEX FOR DEFECTS ON WAFERS

• Main Authors: CHANG, ELLIS, FANG, TSUNG-PAO, CHEN, CHIEN-HUEI (ADAM), XIONG, YAN, ZHANG, JIANXIN
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 22.10.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Various methods and systems for determining a defect criticality index (DCI) for defects on wafers are provided. One computer-implemented method includes determining critical area information for a portion of a design for a wafer surrounding a defect detected on the wafer by an inspection system based on a location of the defect reported by the inspection system and a size of the defect reported by the inspection system. The method also includes determining a DCI for the defect based on the critical area information, a location of the defect with respect to the critical area information, and the reported size of the defect. La présente invention concerne divers procédés et systèmes permettant la détermination d'un indice de criticité de défaut (DCI) pour des défauts sur des tranches. Un procédé informatique comprend la détermination d'information de zone critique pour une partie d'un modèle pour une tranche entourant un défaut détecté sur la tranche par un système d'inspection basé sur une localisation du défaut rapporté par le système d'inspection et une taille du défaut rapporté par le système d'inspection. Le procédé comprend également la détermination d'un indice de criticité de défaut pour le défaut par rapport à l'information de zone critique, et la taille rapportée du défaut.