METHOD OF SEALING AN AIR GAP IN A LAYER OF A SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

• Main Authors: BRAECKELMANN, GREG, WILD, ANDREAS, ORLOWSKI, MARIUS
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 22.10.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method of sealing an air gap (6) in a layer (2) of a semiconductor structure comprises providing a first layer (2) of the semiconductor structure having at least one air gap (6) for providing isolation between at least two conductive lines (4) formed in the first layer. The at least one air gap extends into the first layer from a first surface (8) of the first layer. The method further comprises forming a barrier layer (10, 16) of a barrier dielectric material over the first surface (8) of the first layer and the at least one air gap. The barrier dielectric material is selected to have a dielectric constant less than 3.5 and to provide a barrier to prevent chemicals entering the at least one air gap. In another embodiment, the at least one air gap (500) extends from a first surface (420) of the first layer to at least a portion of side surfaces of the at least two conductive lines to expose at least a portion of the side surfaces, and a barrier layer (600) of a barrier dielectric material is formed over the exposed portions of the side surfaces of each of the at least two conductive lines. L'invention porte sur un procédé d'étanchéification d'un espace d'air (6) dans une couche (2) d'une structure semi-conductrice. Le procédé consiste à produire une première couche (2) de la structure semi-conductrice comportant au moins un espace d'air (6) pour fournir une isolation entre au moins deux lignes conductrices (4) formées dans la première couche. Le ou les espaces d'air s'étendent à l'intérieur de la première couche à partir d'une première surface (8) de la première couche. Le procédé consiste en outre à former une couche barrière (10, 16) d'un matériau diélectrique de barrière sur la première surface (8) de la première couche et le ou les espaces d'air. Le matériau diélectrique barrière est sélectionné pour avoir une constante diélectrique inférieure à 3,5 et pour offrir une barrière permettant d'empêcher des matières chimiques d'entrer dans le ou les espaces d'air. Dans un autre mode de réalisation, le ou les espaces d'air (500) s'étendent à partir d'une première surface (420) de la première couche vers au moins une partie des surfaces latérales de deux ou plusieurs lignes conductrices pour exposer au moins une partie des surfaces latérales, et une couche barrière (600) d'un matériau diélectrique de barrière est formée sur les parties exposées des surfaces latérales de chacune des deux ou plusieurs lignes conductrices.