SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

A recess along a sidewall is formed in a pMOS region (1p) and an nMOS region (1n). An SiC layer (22c) the thickness of which is larger than the depth of the recess is formed in the recess. Then, a sidewall (52) covering a portion of the SiC layer (22c) is formed on both sides of a gate electrode (14...

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Main Authors OOTA, HIROYUKI, SHIMAMUNE, YOSUKE
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 08.10.2009
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:A recess along a sidewall is formed in a pMOS region (1p) and an nMOS region (1n). An SiC layer (22c) the thickness of which is larger than the depth of the recess is formed in the recess. Then, a sidewall (52) covering a portion of the SiC layer (22c) is formed on both sides of a gate electrode (14) in the pMOS region (1p). Then, a recess (23) the side surface in a gate insulating film (13) side of which is formed to be inclined so that the higher portion of the side surface is closer to the gate insulating film (13) in a horizontal direction in a region below the surface of a silicon substrate (11) is formed by selectively removing the SiC layer (22c) in the pMOS region (1p). An SiGe layer (24) is formed in the recess (23) in the pMOS region (1p). La présente invention concerne un procédé selon lequel un évidement le long d'une paroi latérale est formé dans une région de type p de métal-oxyde-semi-conducteur (MOS) (1p) et une région de type n de MOS (1n). Une couche SiC (22c) dont l'épaisseur est supérieure à la profondeur de l'évidement est formée dans l'évidement. Ensuite, une paroi latérale (52) recouvrant une partie de la couche SiC (22c) est formée sur les deux faces d'une électrode de grille (14) dans la région de type p de MOS (1p). Ensuite, un évidement (23) dans la face latérale d'un film isolant grille (13) dont la face est configurée pour être inclinée de sorte que la partie supérieure soit plus proche du film isolant grille (13) dans une direction horizontale dans une région sous la surface d'un substrat de silicium (11) est formé par l'élimination sélective de la couche SiC (22c) dans la région de type p de MOS (1p). Une couche SiGe (24) est formée dans l'évidement (23) dans la région de type p de MOS (1p).
Bibliography:Application Number: WO2008JP56425