METHODS FOR FORMING COMPOSITE NANOPARTICLE-METAL METALLIZATION CONTACTS ON A SUBSTRATE

• Main Authors: TERRY, MASON, LEMMI, FRANCESCO, POPLAVSKYY, DMITRY, ABBOTT, MALCOLM, VANHEUSDEN, KAREL
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 24.09.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for forming a contact to a substrate is disclosed. The method includes providing a substrate, the substrate being doped with a first dopant; and diffusing a second dopant into at least a first side of the substrate to form a second dopant region, the first side further including a first side surface area. The method also includes forming a dielectric layer on the first side of the substrate. The method further includes forming a set of composite layer regions on the dielectric layer, wherein each composite layer region of the set of composite layer regions further includes a set of Group IV semiconductor nanoparticles and a set of metal particles. The method also includes heating the set of composite layer regions to a first temperature, wherein at least some composite layer regions of the set of composite layer regions etch through the dielectric layer and form a set of contacts with the second dopant region. La présente invention concerne un procédé de formation d'un contact sur un substrat. Le procédé comprend la mise à disposition d'un substrat, le substrat étant dopé avec un premier dopant; et la diffusion d'un second dopant dans au moins une première face du substrat pour former une seconde région dopante, la première face comportant également une première surface latérale. Le procédé comprend également la formation d'une couche diélectrique sur la première face du substrat. Le procédé comprend en outre la formation d'un ensemble de régions de couche composite sur la couche diélectrique, chaque région de couche composite de l'ensemble de régions de couche composite comportant également un ensemble de nanoparticules semi-conductrices de groupe IV et un ensemble de particules métalliques. Le procédé comprend encore le chauffage de l'ensemble de régions de couche composite jusqu'à une première température, au moins certaines des régions de couche composite de l'ensemble de régions de couche composite percent à travers la couche diélectrique et forment un ensemble de contacts avec la seconde région dopante.