METHOD TO IMPROVE UNIFORMITY OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PLANARIZATION

• Main Authors: RAMAPPA, DEEPAK, THANIGAIVELAN, THIRUMAL
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 11.09.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Embodiments of this method improve the results of a chemical mechanical polishing (CMP) process. A surface is implanted with a species, such as, for example, Si, Ge, As, B, P, H, He, Ne, Ar, Kr, Xe, and C. The implant of this species will at least affect dishing, erosion, and polishing rates of the CMP process. The species may be selected in one embodiment to either accelerate or decelerate the CMP process. The dose of the species may be varied over the surface in one particular embodiment. Selon des modes de réalisation, l'invention concerne un procédé qui améliore les résultats d'un procédé de polissage chimio-mécanique (CMP). Une surface est implantée à l'aide d'une espèce telle que, par exemple Si, Ge, As, B, P, H, He, Ne, Ar, Kr, Xe, et C. L'implantation de cette espèce aura au moins une incidence sur les taux de bombage, d'érosion et de polissage du procédé de CMP. L'espèce peut être sélectionnée dans un mode de réalisation pour accélérer ou décélérer le procédé de CMP. La dose de l'espèce peut être modifiée sur la surface dans un mode de réalisation particulier.