HERMETICALLY SEALING A DEVICE WITHOUT A HEAT TREATING STEP AND THE RESULTING HERMETICALLY SEALED DEVICE

• Main Authors: AITKEN, BRUCE, G, KOVAL, SHARI, E, QUESADA, MARK, A
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 03.09.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for hermetically sealing a device without performing a heat treatment step and the resulting hermetically sealed device are described herein. The method includes the steps of: (1) positioning the un-encapsulated device in a desired location with respect to a deposition device; and (2) using the deposition device to deposit a sealing material over at least a portion of the un-encapsulated device to form a hermetically sealed device without having to perform a post-deposition heat treating step. For instance, the sealing material can be a Sn2+-containing inorganic oxide material or a low liquidus temperature inorganic material. La présente invention concerne un procédé permettant de fermer hermétiquement un dispositif sans passer par une étape de traitement thermique et le dispositif fermé hermétiquement ainsi obtenu. Le procédé comprend les étapes consistant à : (1) disposer le dispositif non encapsulé à un emplacement souhaité par rapport à un dispositif de dépôt ; (2) utiliser le dispositif de dépôt pour déposer un matériau de scellage sur au moins une partie du dispositif non encapsulé pour obtenir un dispositif hermétiquement fermé sans avoir à réaliser une étape de traitement thermique après le dépôt. Le matériau de scellage peut, par exemple, être une matière d'oxyde inorganique contenant du Sn2+ ou une matière inorganique présentant une température de liquidus basse.