GAN LED DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: SHIMA, TOSHIHIKO, JOUICHI, TAKAHIDE, MIYASHITA, KEIJI, HIRAOKA, SHIN, KOTO, MASAHIRO, KUDO, HIROMITSU, OKAGAWA, HIROAKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 20.08.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a novel structure related to suppression of light emission in a pn junction located directly below a bonding pad in a pn junction GaN LED device in which a TCO film is on a p-type layer and the bonding pad is on a part of the TCO film. Specifically disclosed is a GaN LED device comprising an n-type GaN semiconductor layer, a p-type GaN semiconductor layer arranged on the n-type GaN semiconductor layer, an n electrode connected with the n-type GaN semiconductor layer, a TCO film formed on the surface of the p-type GaN semiconductor layer, a conductive sputter film formed on a part of the TCO film, a resistance-increased region corresponding to a contact region of the TCO film and the conductive sputter film, in which resistance-increased region the resistance between the p-type GaN semiconductor layer and the TCO film is partially increased, and a bonding pad formed on the resistance-increased region. L'invention porte sur une nouvelle structure liée à la suppression d'émission de lumière dans une jonction pn située directement au-dessous d'une plage de connexion dans un dispositif à diode électroluminescente (DEL) au GaN à jonction pn, dans lequel un film d'oxyde conducteur transparent (TCO) se trouve sur une couche de type p et la plage de connexion se trouve sur une partie du film TCO. L'invention porte spécifiquement sur un dispositif DEL au GaN comprenant une couche de semi-conducteur GaN de type n, une couche de semi-conducteur GaN de type p agencée sur la couche de semi-conducteur GaN de type n, une électrode n connectée à la couche de semi-conducteur GaN de type n, un film TCO formé sur la surface de la couche de semi-conducteur GaN de type p, un film pulvérisé conducteur formé sur une partie du film TCO, une région à résistance accrue correspondant à une région de contact du film TCO et du film pulvérisé conducteur. Dans ladite région à résistance accrue, la résistance entre la couche de semi-conducteur GaN de type p et le film TCO est partiellement accrue, et une plage de connexion est formée sur la région à résistance accrue.