METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: MIZUKOSHI, MASATAKA, IWAI, TAISUKE
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 20.08.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INORGANIC CHEMISTRY; METALLURGY; NON-METALLIC ELEMENTS; SEMICONDUCTOR DEVICES

An electrode formed on a part of a surface of a semiconductor substrate and front ends of a forest of conductive nanotubes on a surface of a substrate for growth are exposed to a rare gas plasma. The front ends of the conductive nanotubes exposed to the rare gas plasma are brought into contact with the electrode, so that the conductive nanotubes are fixed to the electrode. The substrate for growth is removed from the semiconductor substrate together with the conductive nanotubes which are not in contact with the electrode, while leaving the conductive nanotubes fixed to the electrode on the semiconductor substrate side. Selon l'invention, une électrode formée sur une partie d'une surface d'un substrat semi-conducteur et des extrémités avant d'une forêt de nanotubes conducteurs sur une surface d'un substrat de croissance sont exposées à un plasma de gaz rare. Les extrémités avant des nanotubes conducteurs exposées au plasma de gaz rare sont amenées en contact avec l'électrode, de sorte que les nanotubes conducteurs sont fixés à l'électrode. Le substrat de croissance est retiré du substrat semi-conducteur conjointement avec les nanotubes conducteurs qui ne sont pas en contact avec l'électrode, tout en laissant les nanotubes conducteurs fixés à l'électrode côté substrat semi-conducteur.