FINFET WITH SEPARATE GATES AND METHOD FOR FABRICATING A FINFET WITH SEPARATE GATES

• Main Authors: SURDEANU, RADU, SONSKY, JAN
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 20.08.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a FinFET with separate gates and to a method for fabricating the same. A dielectric gate-separation layer between first and second gate electrodes has an extension in a direction pointing from a first to a second gate layer that is smaller than a lateral extension of the fin between its opposite lateral faces. This structure corresponds with a processing method that starts from a covered basic FinFET structure with a continuous first gate layer, and proceeds to remove parts of the first gate layer and of a first gate-isolation layer through a contact opening to the gate layer. Subsequently, a replacement gate-isolation layer that at the same time forms the gate separation layer fabricated, followed by filling the tunnel with a replacement gate layer and a metal filling. La présente invention porte sur un transistor à effet de champ (TEC) à ailettes à grilles séparées et sur un procédé pour sa fabrication. Une couche de séparation de grille diélectrique, entre des première et seconde électrodes de grille, possède une extension dans une direction allant d'une première vers une seconde couche de grille, qui est plus petite qu'une extension latérale de l'ailette entre ses faces latérales opposées. Cette structure correspond à un procédé de traitement qui part d'une structure de transistor à effet de champ à ailettes basique revêtue d'une première couche de grille continue, et procède à l'élimination de parties de la première couche de grille et d'une première couche d'isolation de grille à travers une ouverture de contact vers la couche de grille. Ensuite, une couche d'isolation de grille de remplacement, qui forme en même temps la couche de séparation de grille, est fabriquée, puis le tunnel est rempli avec une couche de grille de remplacement et un remplissage métallique.