HIGH ASPECT RATIO HOLES OR TRENCHES

• Main Authors: NEUILLY, FRANCOIS, MEUNIER-BEILLARD, PHILIPPE
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 23.07.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a method to increase throughput when manufacturing high Aspect Ratio (AR) holes or trenches, and high AR holes or trenches obtained by said method. In semiconductor devices holes or trenches are etched, using dry or wet etching techniques, typically dry etching is preferred. According to the present invention, the initial aspect ratio of the trenches is increased by depostion of the layer of the same material as the substate on the walls and the bottom of the trenches. In order to get high- integrated devices use of a third dimension, e.g. of a silicon wafer is necessary to follow the ITRS roadmap. Therein, for instance a deep silicon etch is required and further high aspect structures are designed. Many products with high aspect holes are in production or development like deep trench capacities, Trench MOSFET, DRAM capacities, through wafer via interconnects, etc. La présente invention concerne un procédé d'augmentation du rendement pour la fabrication de trous ou de tranchées à rapport largeur/longueur (AR) élevé, et des trous ou des tranchées à AR élevé obtenus par ledit procédé. Des trous ou des tranchées sont gravés dans des dispositifs à semi-conducteur, en utilisant des techniques de gravure sèche ou de gravure humide, la gravure sèche étant généralement préférée. Selon la présente invention, le rapport largeur/longueur initial des tranchées est accru par la déposition de la couche de la même matière que le substrat sur les parois et le fond des tranchées. Afin d'obtenir des dispositifs fortement intégrés, l'utilisation d'une troisième dimension, par exemple d'une tranche de silicium, est nécessaire pour suivre la cartographie ITRS. Ici, par exemple, une gravure de silicium profonde est requise et d'autres structures à rapport largeur/longueur élevé sont conçues. De nombreux produits avec des trous à rapport largeur/longueur élevé sont en production ou en développement, tels que les capacités de tranchée profonde, les MOSFET à tranchée, les capacités DRAM, à travers la tranche par l'intermédiaire de trous d'interconnexion, etc.