MECHANICAL MEMORY TRANSISTOR

• Main Author: BOZLER, CARL, O
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 24.09.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A mechanical memory transistor includes a substrate having formed thereon a source region and a drain region. An oxide is formed upon a portion of the source region and upon a portion of the drain region. A pull up electrode is positioned above the substrate such that a gap is formed between the pull up electrode and the substrate. A movable gate has a first position and a second position. The movable gate is located in the gap between the pull up electrode and the substrate. The movable gate is in contact with the pull up electrode when the movable gate is in a first position and is in contact with the oxide to form a gate region when the movable gate is in the second position. The movable gate, in conjunction with the source region and the drain region and when the movable gate is in the second position, form a transistor that can be utilized as a non-volatile memory element. Le transistor à mémoire mécanique selon la présente invention inclut un substrat sur lequel sont formées une zone de source et une zone de drain. Un oxyde est formé sur une partie de la zone de source et sur une partie de la zone de drain. Une électrode d'excursion haute est positionnée au-dessus du substrat de manière à ce qu'un écartement soit formé entre l'électrode d'excursion haute et le substrat. Une grille mobile présente une première position et une seconde position. La grille mobile se trouve dans l'écartement entre l'électrode d'excursion haute et le substrat. La grille mobile est en contact avec l'électrode d'excursion haute lorsque la grille mobile est dans une première position et elle est en contact avec l'oxyde pour former une zone de grille lorsque la grille mobile est dans la seconde position. La grille mobile, en association avec la zone de source et la zone de drain, et lorsque la grille mobile est dans la seconde position, forme un transistor qui peut être utilisé en tant qu'élément de mémoire non volatile.