METHOD AND SOLUTION FOR WASHING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: ISHIKAWA, MAKOTO, MOCHIZUKI, HIDEAKI, SAITO, NORIYUKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 11.06.2009
• Subjects: ANIMAL AND VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES AND WAXES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CANDLES; CHEMISTRY; DETERGENT COMPOSITIONS; DETERGENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FATTY ACIDS THEREFROM; METALLURGY; RECOVERY OF GLYCEROL; RESIN SOAPS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOAP OR SOAP-MAKING; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS

Disclosed is a method for washing a substrate for a semiconductor device, which has excellent removal performance for fine particles, organic contaminants, metallic contaminants or composite contaminants composed of a organic material and a metal adhered on the surface of the substrate and also has excellent contaminant readhesion-preventing performance, which hardly causes the corrosion of the surface of the substrate, and which can highly clean the surface of the substrate without the need of applying intense ultrasonic waves. Specifically disclosed is a method for washing a substrate for a semiconductor device, which is characterized by washing the substrate by using a washing solution comprising the following components (A) to (D) while applying ultrasonic waves having an intensity of 0.2 to 1.5 W (inclusive) per cm2 of the substrate irradiated with the ultrasonic waves: (A) hydrogen peroxide; (B) an alkali; (C) water; and (D) a compound represented by the general formula (1). R1-O-(-R2-O-)n-H (1) wherein R1 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; R2 represents an alkylene group having 2 to 3 carbon atoms; and n represents an integer of 1 to 3. La présente invention concerne un procédé pour laver un substrat pour un dispositif à semi-conducteur qui présente d'excellentes performances d'élimination de fines particules, de contaminants organiques, de contaminants métalliques ou de contaminants composites composés d'un matériau organique et d'un métal collé sur la surface du substrat et présente également d'excellentes performances en ce qui concerne la lutte contre la réadhésion de contaminants ; qui entraîne peu de corrosion sur la surface du substrat ; et qui nettoie bien la surface du substrat sans devoir appliquer d'ondes ultrasonores intenses. La présente invention concerne particulièrement un procédé pour laver un substrat pour un dispositif à semi-conducteur qui est caractérisé par le lavage du substrat à l'aide d'une solution de lavage qui comprend les composants suivants (A) à (D) et l'application d'ondes ultrasonores qui présentent une intensité allant de 0,2 à 1,5 W (compris) par cm2 du substrat irradié avec les ondes ultrasonores : (A) du peroxyde d'hydrogène ; (B) un alcali ; (C) de l'eau ; et (D) un composé représenté par la formule générale (1) : R1-O-(-R2-O-)n-H où R1 représente un groupe alkyle qui possède 1 à 4 atomes de carbone ; R2 représente un groupe alkylène qui possède 2 à 3 atomes de carbone ; et n représente un entier entre 1 et 3.