REDUCTION OF AIR POCKETS IN SILICON CRYSTALS BY AVOIDING THE INTRODUCTION OF NEARLY INSOLUBLE GASES INTO THE MELT

• Main Authors: KORB, HAROLD, W, PHILLIPS, RICHARD
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 22.05.2009
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

A process is provided for controlling the amount of insoluble gas carried by a charge of granular polycrystalline silicon. The process comprises (i) charging a feeding container with granular polycrystalline silicon, (ii) forming an ambient atmosphere in the feeding container, the ambient atmosphere having a mole fraction of at least 0.9 of a gas having a solubility in molten silicon of at least about 5x1013 atoms/cm3 at a temperature near the melting point of silicon and at a pressure of about 1 bar (about 100 kPa), and (iii) reducing the pressure inside the charged feeding container. L'invention propose un procédé de contrôle de la quantité de gaz insoluble transporté par une charge de silicium polycristallin granulaire. Le procédé comprend les étapes qui consistent à (i) charger un récipient d'alimentation en silicium polycristallin granulaire, (ii) former une atmosphère ambiante dans le récipient d'alimentation, l'atmosphère ambiante présentant une proportion molaire d'au moins 0,9 d'un gaz dont la solubilité dans le silicium fondu est d'au moins environ 5x1013 atomes/cm' à une température proche du point de fusion du silicium et à une pression d'environ 1 bar (environ 100 kPa), et (iii) réduire la pression à l'intérieur du récipient d'alimentation chargé.