OXIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL, ELECTRONIC DEVICE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR

• Main Authors: HASEGAWA, AKIRA, KOHIRO, KENJI, FUKUHARA, NOBORU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.05.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Provided are an oxide semiconductor material, a method for manufacturing such oxide semiconductor material, an electronic device and a field effect transistor. The oxide semiconductor material includes Zn, Sn and O but In, and has an electronic carrier concentration higher than 1x1015/cm3 but less than 1x1018/cm3. The electronic device is provided with a semiconductor layer composed of an oxide semiconductor material and an electrode arranged on the semiconductor layer. The field effect transistor is provided with a semiconductor layer composed of an oxide semiconductor material; a source electrode and a drain electrode which are arranged by being separated from each other on the semiconductor layer; and a gate electrode arranged at a position to which a bias potential can be applied, in a region of the semiconductor layer positioned between the source electrode and the drain electrode. L'invention propose un matériau oxyde semi-conducteur, un procédé de fabrication d'un tel matériau oxyde semi-conducteur, un dispositif électronique et un transistor à effet de champ. Le matériau oxyde semi-conducteur comprend Zn, Sn et O mais pas In, et présente une concentration en porteurs électroniques supérieure à 1 1015/cm3 mais inférieure à 1 1018/cm3. Le dispositif électronique est pourvu d'une couche semi-conductrice composée d'un matériau oxyde semi-conducteur et d'une électrode agencée sur la couche semi-conductrice. Le transistor à effet de champ est pourvu d'une couche semi-conductrice composée d'un matériau oxyde semi-conducteur; d'une électrode de source et d'une électrode déversoir qui sont agencées en étant séparées l'une de l'autre sur la couche semi-conductrice; et d'une électrode de grille agencée de telle sorte qu'un potentiel de polarisation peut être appliqué sur celle-ci, dans une région de la couche semi-conductrice positionnée entre l'électrode de source et l'électrode déversoir.