ETCHING MASK, BASE MATERIAL HAVING ETCHING MASK, FINELY PROCESSED ARTICLE, AND METHOD FOR PRODUCTION OF FINELY PROCESSED ARTICLE

• Main Authors: SATSUKA, TAKURO, TAKAYA, YOSHIAKI, MITRA, ANUPAM, HAYASHIDA, YOSHIHISA, KUSUURA, TAKAHISA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.05.2009
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; COMPOSITIONS BASED THEREON; COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDEDFOR; SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; TRANSPORTING; WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE, IN GENERAL

Disclosed are: an etching mask having excellent thermal imprinting properties and good etching resistance; a base material having the etching mask; and a finely processed article and a method for producing the finely processed article, each of which utilizes the etching mask or the base material. Specifically, the etching mask comprises a thermoplastic resin having at least one skeleton represented by the formula (1) or (2) in its main chain [in the formulae (1) and (2), R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 and R8 independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, a hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms, a halogen atom, or a substituent containing a hetero atom such as an oxygen atom or a sulfur atom, provided that two or more of R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 and R8 may together form a ring structure; and m and n independently represent an integer of 0 or greater]. La présente invention se rapporte à : un masque de gravure présentant d'excellentes propriétés d'impression thermique et une bonne résistance à la gravure; un matériau de base comportant le masque de gravure; et un objet soigneusement traité; et un procédé de production de l'objet soigneusement traité, chacun utilisant le masque de gravure ou le matériau de base. Spécifiquement, le masque de gravure comprend une résine thermoplastique ayant au moins une structure représentée par la formule (1) ou (2) dans sa chaîne principale [dans les formules (1) et (2), R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 et R8 représentent indépendamment un atome d'hydrogène, un atome de deutérium, un groupe hydrocarbure ayant 1 à 15 atomes de carbone, un atome d'halogène, ou un substituant contenant un hétéroatome tel qu'un atome d'oxygène ou un atome de soufre, à condition que deux éléments, ou plus, parmi R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 et R8 puissent former ensemble une structure annulaire; et m et n représentent indépendamment un entier de 0 ou plus].