SINGLE WAFER IMPLANTER FOR SILICON-ON-INSULATOR WAFER FABRICATION

• Main Authors: EROKHIN, YURI, BLAKE, JULIAN, G, ENGLAND, JONATHAN, GERALD
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 02.04.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An ion implanter is disclosed. One such ion implanter includes an ion beam source configured to generate oxygen, nitrogen, helium, or hydrogen ions into an ion beam with a specific dose range, and an analyzer magnet configured to remove undesired species from the ion beam. The ion implanter includes an electrostatic chuck having a backside gas thermal coupling that is configured to hold a single workpiece for silicon-on-insulator implantation by the ion beam and is configured to cool the workpiece to a temperature in a range of approximately 300°C to 600°C. L'invention porte sur un implanteur d'ions. Un tel implanteur d'ions comprend une source de faisceau ionique configurée pour générer des ions oxygène, azote, hélium, ou hydrogène dans un faisceau ionique avec une plage de dose spécifique, et sur un aimant analyseur configuré pour retirer des espèces indésirables du faisceau ionique. L'implanteur d'ions comprend un mandrin électrostatique ayant un couplage thermique gazeux de face arrière, qui est configuré pour maintenir une pièce de travail unique pour une implantation de silicium sur isolant par le faisceau ionique et qui est configuré pour refroidir la pièce de travail à une température dans une plage d'approximativement 300 °C à 600°C.