WAFER BONDING ACTIVATED BY ION IMPLANTATION

A method for wafer bonding two substrates activated by ion implantation is disclosed. An in situ ion bonding chamber allows ion activation and bonding to occur within an existing process tool utilized in a manufacturing process line. Ion activation of at least one of the substrates is performed at l...

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Main Authors EROKHIN, YURI, SULLIVAN, PAUL, WALTHER, STEVEN, R, NUNAN, PETER
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 26.03.2009
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:A method for wafer bonding two substrates activated by ion implantation is disclosed. An in situ ion bonding chamber allows ion activation and bonding to occur within an existing process tool utilized in a manufacturing process line. Ion activation of at least one of the substrates is performed at low implant energies to ensure that the wafer material below the thin surface layers remains unaffected by the ion activation. L'invention concerne un procédé de collage par adhésion moléculaire de deux substrats activé par implantation ionique. Une chambre d'assemblage d'ions in situ permet l'activation et l'assemblage d'ions dans un outil de traitement existant utilisé dans une chaîne de production. L'activation ionique d'au moins l'un des substrats est réalisée à des énergies d'implantation faibles pour garantir que le matériel situé sous les minces couches superficielles ne soit pas affecté par l'activation ionique.
Bibliography:Application Number: WO2008US76840