BONDING WAFER MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: MORIMOTO, NOBUYUKI, NISHIHATA, HIDEKI, ENDO, AKIHIKO, KUSABA, TATSUMI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 12.03.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In a bonding wafer manufacturing method, a wafer for an active layer and a wafer for a supporting layer are bonded, then the wafer for the active layer is thinned. At the time of implanting oxygen ions in the wafer for the active layer, in a state where the temperature of the wafer for the active layer is kept at 200°C or below, oxygen ions are implanted under the condition of a doze quantity of 5×1015 to 5×1016atoms/cm2. Thus, the bonded wafer having excellent film thickness uniformity after film thinning and dramatically improved surface roughness can be obtained. Selon l'invention, dans un procédé de fabrication de tranche de liaison, une tranche pour une couche active et une tranche pour une couche de support sont liées, puis la tranche pour la couche active est amincie. Au moment d'implantation d'ions oxygène dans la tranche pour la couche active, dans un état où la température de la tranche pour la couche active est conservée à 200°C ou moins, des ions oxygène sont implantés dans la condition d'une quantité de 5 1015 à 5 1016 atomes/cm2. Ainsi, la tranche liée ayant une excellente uniformité d'épaisseur de film après l'amincissement de film et une rugosité de surface améliorée de façon remarquable peut être obtenue.