COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODIFYING A SURFACE SUITED FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION

• Main Authors: KAISAKI, DAVID A, CLARK, PHILIP G, HARDY, L. CHARLES, CLARK, JOHN C, SAVU, PATRICIA M, KRANZ, HEATHER K, GAGLIARDI, JOHN J, WOOD, THOMAS E
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 19.02.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The disclosure pertains to compositions and methods for modifying or refining the surface of a wafer suited for semiconductor fabrication. The compositions include working liquids useful in modifying a surface of a wafer suited for fabrication of a semiconductor device. In some embodiments, the working liquids are aqueous solutions of initial components substantially free of loose abrasive particles, the components including water, a surfactant, and a pH buffer exhibiting at least one pKa greater than 7. In certain embodiments, the pH buffer includes a basic pH adjusting agent and an acidic complexing agent, and the working liquid exhibits a pH from about 7 to about 12. In further embodiments, the disclosure provides a fixed abrasive article comprising a surfactant suitable for modifying the surface of a wafer, and a method of making the fixed abrasive article. Additional embodiments describe methods that may be used to modify a wafer surface. La présente invention a pour objet des compositions et des procédés permettant de modifier ou d'affiner la surface d'une tranche adaptée à la fabrication d'un semi-conducteur. Les compositions comprennent des liquides de travail utiles pour modifier une surface d'une tranche adaptée à la fabrication d'un dispositif semi-conducteur. Dans certains modes de réalisation, les liquides de travail sont des solutions aqueuses de composants de départ essentiellement exempts de particules abrasives libres, les composants comprenant de l'eau, un agent tensioactif, et un tampon de pH présentant au moins un pKa supérieur à 7. Dans certains modes de réalisation, le tampon de pH comprend un agent d'ajustement du pH basique et un agent complexant acide, et le liquide de travail présente un pH allant d'environ 7 à environ 12. Dans d'autres modes de réalisation, la description propose un article en abrasif fixe comprenant un agent tensioactif approprié pour modifier la surface d'une tranche, et un procédé de fabrication de l'article en abrasif fixe. D'autres modes de réalisation décrivent des procédés qui peuvent être utilisés pour modifier une surface de tranche.