MOS TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING THE SAME

• Main Author: KASAHARA, MASAKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 19.02.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is an MOS transistor having a plurality of transistor cells each of which has a drain and a source arranged in parallel, on the both sides of a plurality of gates extending in parallel to the same direction on a surface of a semiconductor substrate.The MOS transistor has a plurality of transistor cell blocks divided in the extending direction of the transistor cell. A drain power feeding conductive hole is arranged for supplying the drain with a current so that the directions of currents flowing in the drain of the transistor cell blocks are the same in the same transistor cell block and are opposite to each other in the adjacent transistor cell blocks. L'invention porte sur un transistor MOS ayant une pluralité de cellules de transistor dont chacune a un drain et une source s'étendant en parallèle, sur les deux côtés d'une pluralité de grilles s'étendant en parallèle dans la même direction sur une surface d'un substrat semi-conducteur. Le transistor MOS a une pluralité de blocs de cellules de transistor divisés dans la direction d'extension de la cellule de transistor. Un trou conducteur d'alimentation de puissance de drain est agencé pour alimenter le drain en courant de telle sorte que les sens des courants circulant dans le drain des blocs de cellules de transistor sont identiques dans le même bloc de cellules de transistor et sont opposés entre eux dans des blocs de cellules de transistor adjacents.