SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND IMAGE DISPLAY

• Main Authors: SAWADA, SUSUMU, YAMASHITA, YOSHIHISA, KITAE, TAKASHI, NAKATANI, SEIICHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 12.02.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a semiconductor device wherein semiconductor elements are formed at a higher density. Also disclosed are a method for manufacturing such a semiconductor device and an image display using such a semiconductor device. Specifically disclosed is a semiconductor device characterized by comprising a resin film having a through hole penetrating the film from one side to the other side, a source electrode formed along the inner wall of the through hole, a drain electrode formed along the inner wall of the through hole, a gate electrode so formed on the other side of the resin film as to face the through hole, an insulating layer formed on the gate electrode and lying at the bottom of the through hole, and an organic semiconductor arranged within the through hole in contact with the source electrode and the drain electrode. This semiconductor device is further characterized in that the organic semiconductor is in contact with at least a part of the insulating layer at the bottom of the through hole, and a channel is formed in the organic semiconductor at a position near the insulating layer in contact therewith. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur, les éléments semi-conducteurs étant formés à une densité plus élevée. L'invention porte aussi sur un procédé pour la fabrication d'un tel dispositif à semi-conducteur et sur un dispositif d'affichage d'image utilisant un tel dispositif à semi-conducteur. L'invention concerne précisément un dispositif à semi-conducteur caractérisé par le fait qu'il comporte un film de résine ayant un trou traversant pénétrant le film de part en part, une électrode de source formée le long de la paroi interne du trou traversant, une électrode déversoir formée le long de la paroi interne du trou traversant, une électrode de grille formée sur l'autre côté du film de résine de façon à faire face au trou traversant, une couche isolante formée sur l'électrode de grille et située au fond du trou traversant, et un semi-conducteur organique agencé à l'intérieur du trou traversant en contact avec l'électrode de source et l'électrode déversoir. Ce dispositif à semi-conducteur est en outre caractérisé par le fait que le semi-conducteur organique est en contact avec au moins une partie de la couche isolante au fond du trou traversant, et par le fait qu'un canal est formé dans le semi-conducteur organique à une position proche de la couche isolante en contact avec celle-ci.