DEVICE FOR CONTROLLING DRIVE OF SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT

• Main Authors: FUMA, HIROO, HIROSE, SATOSHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.01.2009
• Subjects: APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORSOR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROL OR REGULATION THEREOF; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER; ELECTRICITY; GENERATION; PULSE TECHNIQUE

A semiconductor switching element has a characteristic that the diode voltage (Vak) in the low current region rises relatively sharp and has a high peak value, and that in the high current region rises relatively slowly and has a low peak value. When receiving a command to turn on the semiconductor switching element, a control device estimates the applied current (Ic) on the basis of the current command value. When the operation in the low-current region is inferred, turn-on is started by low-speed switching. When the operation in the high-current region is inferred, turn-on is carried out by high-speed switching. When it is inferred that the peak of the surge voltage passes in the low-current region after a predetermined time from the start of the turn-on, the low-speed switching is changed to the high-speed switching. This change timing is determined according to the applied current estimated on the basis of the current command value. Consequently, without causing feedback of the voltage and current, the switching speed control of the semiconductor switching element can be carried out when turning on the semiconductor switching element. Selon l'invention, un élément de commutation semi-conducteur possède une caractéristique selon laquelle la tension de diode (Vak) croît relativement rapidement et a une valeur de pic élevée dans la région de courant faible, et croît relativement lentement et a une valeur de pic faible dans la région de courant élevé. Lors de la réception d'une instruction pour débloquer l'élément de commutation semi-conducteur, un dispositif de commande estime le courant appliqué (Ic) sur la base de la valeur d'instruction du courant. Lorsque l'opération dans la région de courant faible est supposée, le déblocage est démarré par commutation à vitesse faible. Lorsque l'opération dans la région de courant élevé est supposée, le déblocage est effectué par une commutation à vitesse élevée. Lorsqu'il est supposé que le pic de la surtension transitoire passe dans la région de courant faible après un temps prédéterminé à partir du début du déblocage, la commutation à faible vitesse est changée en une commutation à vitesse élevée. Le moment de ce changement est déterminé selon le courant appliqué estimé sur la base de la valeur d'instruction du courant. Par conséquent, sans provoquer la rétroaction de la tension et du courant, la commande de vitesse de commutation de l'élément de commutation semi-conducteur peut être effectuée lors du déblocage de l'élément de commutation semi-conducteur.