HYBRID MAGNETOELECTRONIC TRANSISTOR

• Main Authors: BAE, JONG-UK, BIRD, JONATHAN, P, LIN, TENG-YIN
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 22.01.2009
• Subjects: ELECTRICITY

The present invention may be embodied as a device that is realized by forming the gate of a field-effect transistor (FET) from a ferromagnetic material, forming a so-called "Ferromag-FET." In addition to its usual electrostatic action, the gate of this device generates FMF that provide an additional means to modulate its conductance. The device may be based on a MOSFET, an HFET, a MESFET, a JFET, or any field-effect transistor. The Ferromag-FET can operate as a traditional transistor, which will allow an easier transition to the use of this new technology within existing products. Due to the nature of the ferromagnetic gate, the Ferromag-FET may also be utilized for non-volatile storage of data. La présente invention concerne un dispositif obtenu par formation de la grille d'un transistor à effet de champ (FET) à partir d'un matériau ferromagnétique, formant un FET ferromagnétique. En plus de son action électrostatique habituelle, la grille de ce dispositif génère un FMF, constituant un moyen supplémentaire de moduler sa conductance. Ce dispositif peut être basé sur un dispositif MOSFET, HFET, MESFET, JFET, ou n'importe quel transistor à effet de champ. Le FET ferromagnétique peut être utilisé comme un transistor classique, ce qui permet une transition plus facile vers l'utilisation de cette nouvelle technologie dans les produits existants. En raison de la nature de la grille ferromagnétique, le FET ferromagnétique peut également être utilisé pour le stockage non volatil de données.