REACTIVE FLOW DEPOSITION AND SYNTHESIS OF INORGANIC FOILS

• Main Authors: HIESLMAIR, HENRY, MORRIS, JULIO, E, MOSSO, RONALD, J, CHIRUVOLU, SHIVKUMAR, SOLAYAPPAN, NARAYAN
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 24.12.2008
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Sub-atmospheric pressure chemical vapor deposition is described with a directed reactant flow and a substrate that moves relative to the flow. Thus, using this CVD configuration a relatively high deposition rate can be achieved while obtaining desired levels of coating uniformity. Deposition approaches are described to place one or more inorganic layers onto a release layer, such as a porous, particulate release layer. In some embodiments, the release layer is formed from a dispersion of submicron particles that are coated onto a substrate. The processes described can be effective for the formation of silicon films that can be separated with the use of a release layer into a silicon foil. The silicon foils can be used for the formation of a range of semiconductor based devices, such as display circuits or solar cells. L'invention porte sur une déposition en phase vapeur par procédé chimique sub-atmosphérique, avec un courant de réactif dirigé et un substrat qui se déplace par rapport au courant. Ainsi, à l'aide de cette configuration de CVD, une vitesse de déposition relativement élevée peut être atteinte tout en obtenant des niveaux désirés d'uniformité de revêtement. Des approches par déposition sont décrites pour placer une ou plusieurs couches inorganiques sur une couche de dégagement, telle qu'une couche de dégagement particulaire poreuse. Dans certains modes de réalisation, la couche de dégagement est formée à partir d'une dispersion de particules submicroniques qui sont appliquées en revêtement sur un substrat. Les procédés décrits peuvent être efficaces pour la formation de films de silicium qui peuvent être séparés à l'aide d'une couche de dégagement en une feuille de silicium. Les feuilles de silicium peuvent être utilisées pour la formation d'une gamme de dispositifs à base de semi-conducteurs, tels que des circuits d'affichage ou des cellules solaires.