SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD

• Main Author: EMA, TAIJI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.12.2008
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor device manufacturing method comprising a first step of forming a first wiring line (28a) over a semiconductor substrate (10), a second step of forming storage elements (30) over the first wiring line, a third step of so forming a first insulating film (42) over the semiconductor substrate as to bury the storage elements, a fourth step of forming such a second insulating film (44) over the first insulating film and the storage elements as has etching characteristics different from those of the first insulating film, a fifth step of etching the second insulating film by using the first insulating film as an etching stopper, thereby to form such grooves (46) in the second insulating film as to expose the upper portions of the storage elements, and a sixth step of burying second wiring lines (32a) in the grooves. L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant une première étape consistant à former une première ligne de câblage (28a) sur un substrat semi-conducteur (10), une seconde étape consistant à former des éléments de stockage (30) sur la première ligne de câblage, une troisième étape consistant à former également un premier film isolant (4) sur le substrat semi-conducteur de façon à enterrer les éléments de stockage, une quatrième étape consistant à former un second film isolant (44) sur le premier film isolant et les éléments de stockage tel qu'il présente des caractéristiques de gravure différentes de celles du premier film isolant, une cinquième étape consistant à graver le second film isolant à l'aide du premier film isolant en tant qu'arrêt de gravure, pour ainsi former des rainures (46) dans le second film isolant de façon à exposer les parties supérieure des éléments de stockage et une sixième étape consistant à enterrer des secondes lignes de câblage (32a) dans les rainures.