SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: NAKATA, SHUNJI, SONOBE, MASAYUKI, FUJIWARA, TETSUYA, SENDA, KAZUHIKO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.12.2008
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The number of pairs of multiquantum well (MQW) layers of an active layer is optimized for permitting an electron to efficiently rebind with a hole in the active layer, and light emitting efficiency is improved. A semiconductor light emitting element is provided with an n-type semiconductor layer (2); a p-type semiconductor layer (4); and an active layer (3), which is arranged between the n-type semiconductor layer (2) and the p-type semiconductor layer (4) and contains In having a multi quantum well structure of barrier layers (311-31n and 310) composed of GaN and well layers (321-32n) composed of InxGa1-xN (0<x<1). The number of the pairs of the MQW layers is 6-11, and electron overflow from the n-type semiconductor layer (2) to the p-type semiconductor layer (4), diffusion of a p-type dopant from the p-type semiconductor layer (4) to the well layers (321-32n) and diffusion of an n-type dopant from the n-type semiconductor layer (2) to the active layer (3) are suppressed. A method for manufacturing such semiconductor light emitting element is also provided. La présente invention concerne l'optimisation du nombre de paires de couches de puits multiquantique (MQW) d'une couche active afin de permettre à un électron de se relier de manière efficace à un trou de la couche active ; l'efficacité de l'émission lumineuse s'en trouve améliorée. Un élément émetteur de lumière semi-conducteur est accompagné d'une couche de semi-conducteur de type n (2), d'une couche de semiconducteur de type p (4) et d'une couche active (3) qui est placée entre la couche de semiconducteur de type n (2) et la couche de semi-conducteur de type p (4) et elle contient de l'In ayant une structure de puits quantique de couches de barrière (311-31n et 310) composée de GaN et de couches de puits (321-32n) composées de InxGa1-xN (0<x<1). Le nombre de paires de couches MQW est de 6 à 11 et le débordement d'électron de la couche de semi-conducteur de type n (2) à la couche de semi-conducteur de type p (4), la diffusion d'un dopant de type p de la couche de semi-conducteur de type p (4) dans les couches de puits (321-32n) et la diffusion d'un dopant de type n de la couche de semi-conducteur de type n(2) dans la couche active (3) sont supprimés. Un procédé de fabrication d'un tel élément émetteur de lumière de semi-conducteur est également fourni.