NON-VOLATILE MEMORY WITH HIGH RELIABILITY

• Main Authors: GEORGESCU, SORIN, S, COSMIN, A., PETER, SMARANDOIU, GEORGE, TACHE, ADRIAN, M
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 04.12.2008
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

A non-volatile memory (NVM) system includes a set of NVM cells, each including: a NVM transistor; an access transistor coupling the NVM transistor to a corresponding bit line; and a source select transistor coupling the NVM transistor to a common source. The NVM cells are written by a two-phase operation that includes an erase phase and a program phase. A common set of bit line voltages are applied to the bit lines during the erase and programming phases. The access transistors are turned on and the source select transistors turned off during the erase and programming phases. A first control voltage is applied to the control gates of the NVM transistors during the erase phase, and a second control voltage is applied to the control gates of the NVM transistors during the program phase. Under these conditions, the average required number of Fowler-Nordheim tunneling operations is reduced. L'invention concerne un système de mémoire non volatile (NVM) comprenant un ensemble de cellules NVM contenant chacune un transistor NVM; un transistor d'accès couplant le transistor NVM à une ligne de bits correspondante; et un transistor de sélection de source couplant le transistor NVM à une source commune. L'écriture des cellules NVM s'effectue à l'aide d'une opération à deux phases comprenant une phase d'effacement et une phase de programmation. Un ensemble commun de tensions de lignes de bits est appliqué sur les lignes de bits au cours des phases d'effacement et de programmation. Les transistors d'accès sont activés et les transistors de sélection de source désactivés au cours des phases d'effacement et de programmation. Une première tension de commande est appliquée sur les grilles de commande des transistors NVM au cours de la phase d'effacement et une seconde tension de commande est appliquée sur les grilles de commande des transistors NVMK au cours de la phase de programmation. Dans ces conditions, le nombre moyen requis d'opérations de tunnelisation de Fowler-Nordheim est réduit.