SPUTTERING APPARATUS AND SPUTTERING METHOD

• Main Authors: KOMATSU, TAKASHI, KURATA, TAKAOMI, ISOBE, TATSUNORI, AKAMATSU, YASUHIKO, ARAI, MAKOTO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 13.11.2008
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Film qualities, such as film thickness distribution and specific resistance value, are substantially made uniform over the entire surface of a processing substrate for forming a prescribed thin film by reactive sputtering. A sputtering apparatus is provided with a plurality of targets (31a-31d) arranged in parallel at prescribed intervals in a sputtering chamber in a vacuum chamber (11); sputtering power supplies (E1, E2) for supplying each target with power; and gas introducing means (6a, 6b) for introducing a sputtering gas and a reaction gas into the sputtering chamber. The gas introducing means (6b) for introducing the reaction gas has at least one gas pipe (61b) extending in a direction wherein the targets are arranged in parallel. The gas pipe is arranged on the rear side of the targets by being spaced apart from the targets which are arranged in parallel, and is provided with a jetting port (610) for jetting the reaction gas toward the targets. Les qualités de film, telles que la distribution d'épaisseur de film et la valeur de résistance spécifique, sont essentiellement rendues uniformes sur la totalité de la surface d'un substrat traité pour la formation par pulvérisation cathodique d'un film fin défini. Un appareil de pulvérisation cathodique est doté d'une pluralité de cibles (31a-31d) disposées parallèlement à des intervalles définis dans une chambre de pulvérisation située dans une chambre à vide (11) ; d'alimentations électriques (E1, E2) permettant d'alimenter électriquement chaque cible ; et de moyens d'introduction de gaz (6a, 6b) permettant d'introduire un gaz de pulvérisation et un gaz réactif dans la chambre de pulvérisation. Le moyen d'introduction de gaz (6b) servant à introduire le gaz réactif possède au moins une canalisation de gaz (61b) s'étendant dans une direction dans laquelle les cibles sont disposées parallèlement. La canalisation de gaz est située sur la face arrière des cibles en étant éloignée des cibles disposées parallèlement, et est fournie munie d'une buse de projection (610) permettant de projeter le gaz réactif vers les cibles.