SILICON OF PRISMATIC SHAPE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

• Main Authors: OOHIRA, FUMIKAZU, NAGAO, SHINYA, HASHIGUCHI, GEN
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 25.09.2008
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

A process for producing a silicon of prismatic shape according to an utterly novel technological principle; and a silicon of prismatic shape with high aspect ratio obtained thereby. There are sequentially performed the alignment configuration forming step of using a silicon wafer with face (110), forming configuration (4) for alignment having planes along two faces (111) being perpendicular to the substrate surface lying inside the wafer; the primary anisotropic etching step of forming vertical wall (6) with a wall face aligned on one of the faces (111); and the secondary anisotropic etching step of forming prism (8) with a wall face aligned on the other face (111) opposite to the vertical wall (6). As upon forming of alignment configuration having two faces (111), there are carried out the primary anisotropic etching aligned on one of the faces (111) and the secondary anisotropic etching aligned on the other face (111), digging out of the faces (111) can be accomplished accurately, and there can be obtained silicon prism (8) with a side wall accurately perpendicular to the top face. La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'un silicium ayant une forme prismatique selon un principe technologique tout à fait nouveau et sur un silicium ayant une forme prismatique avec un rapport hauteur/largeur élevé ainsi obtenu. On exécute séquentiellement l'étape de formation de configuration d'alignement consistant à utiliser une tranche de silicium avec la face (100), la formation de configuration (4) d'alignement ayant des plans le long de deux faces (111) qui sont perpendiculaires à la surface de substrat qui se trouve à l'intérieur de la tranche ; l'étape de gravure anisotrope primaire consistant à former une paroi verticale (6) avec une face de paroi alignée sur l'une des faces (111) ; et l'étape de gravure anisotrope secondaire consistant à former un prisme (8) avec une face de paroi alignée sur l'autre face (111) opposée à la paroi verticale (6). Lors de la formation de la configuration d'alignement ayant deux faces (111), on effectue la gravure anisotrope primaire alignée sur l'une des faces (111) et la gravure anisotrope secondaire alignée sur l'autre face (111). Le creusement des faces (111) peut être réalisé de manière précise et on peut obtenir un prisme de silicium (8) avec une paroi latérale précisément perpendiculaire à la face supérieure.