METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC STORAGE DEVICE AND MAGNETIC STORAGE DEVICE

Disclosed is a method for manufacturing a magnetic storage device comprising a TMR element, which comprises a step for forming an insulting film on an interlayer insulating film provided with a wiring layer, an opening formation step for forming an opening in the insulating film so that the wiring l...

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Main Authors FURUTA, HARUO, WANG, LIENANG, MATSUDA, RYOJI, UENO, SHUICHI, KUROIWA, TAKEHARU, CHEN, EUGENE, HUAI, YIMING, FUKUMURA, TATSUYA
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 04.09.2008
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Summary:Disclosed is a method for manufacturing a magnetic storage device comprising a TMR element, which comprises a step for forming an insulting film on an interlayer insulating film provided with a wiring layer, an opening formation step for forming an opening in the insulating film so that the wiring layer is exposed therefrom, a metal layer formation step for forming a metal layer on the insulating layer so that the opening is filled therewith, a CMP step for polishing and removing the metal layer on the insulating layer by a CMP method and forming the metal layer remaining in the opening into a lower electrode, and a step for forming a TMR element on the lower electrode. Also disclosed is a magnetic storage device comprising an interlayer insulating film provided with a wiring layer, an insulating film formed on the interlayer insulating film, an opening formed in the insulating film so that the wiring layer is exposed therefrom, a barrier metal layer provided so as to cover the inner surface of the opening, a lower electrode formed on the barrier metal so as to fill the opening, and a TMR element formed on the lower electrode. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de stockage magnétique comprenant un élément à magnétorésistance tunnel (TMR), qui comprend une étape consistant à former un film isolant sur un film isolant intercouche doté d'une couche de câblage, une étape de formation d'ouverture pour former une ouverture dans le film isolant, de telle sorte que la couche de câblage est exposée à partir de celle-ci, une étape de formation de couche métallique pour former une couche métallique sur la couche isolante, de telle sorte que l'ouverture est remplie avec celle-ci, une étape CMP pour polir et retirer la couche métallique sur la couche isolante par un procédé de polissage chimico-mécanique (CMP) et former la couche métallique restante dans l'ouverture en une électrode inférieure, et une étape consistant à former un élément TMR sur l'électrode inférieure. L'invention concerne également un dispositif de stockage magnétique comprenant un film isolant intercouche doté d'une couche de câblage, d'un film isolant formé sur le film isolant intercouche, d'une ouverture formée dans le film isolant de telle sorte que la couche de câblage est exposée à partir de celle-ci, d'une couche de métal barrière disposée de façon à recouvrir la surface interne de l'ouverture, d'une électrode inférieure formée sur le métal barrière de façon à remplir l'ouverture, et d'un élément TMR formé sur l'électrode inférieure.
Bibliography:Application Number: WO2008JP53197