SEMICONDUCTOR POWER CONVERTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: NAKAMURA, HIDEO, OONO, HIROTAKA, WATANABE, TOMOYUKI, INAGAKI, NOBUAKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 28.08.2008
• Subjects: APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS; CONTROL OR REGULATION THEREOF; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER; ELECTRICITY; GENERATION

A bus bar (200a) has an integrally formed lead section (210a) and an integrally formed bus bar section (205a). The lead section (210a) is arranged to have a shape branched from the bus bar section (205a). A part of the lead section (210a) forms a bonding area (215a) which is directly bonded electrically to a transistor electrode (150) and to a diode electrode (164) with a bonding material (160) such as solder. The thickness (t2) of the lead section (210a) including the bonding area (215a) is made thinner than the thickness (t1) of the bus bar section (205a). Thus, a wiring connecting structure wherein the electrode and the bus bar of a semiconductor element can be directly bonded electrically and a thermal stress at the bonding sections of both the electrode and the bus bar can be relaxed is provided. Une barre omnibus (200a) a une section de conducteur formée d'un seul tenant (210a) et une section de barre omnibus formée d'un seul tenant (205a). La section de conducteur (210a) est disposée pour avoir une forme ramifiée à partir de la section de barre omnibus (205a). Une partie de la section de conducteur (210a) forme une zone de liaison (215a) qui est directement liée électriquement à une électrode de transistor (150) et à une électrode de diode (164) avec un matériau de liaison (160), tel qu'une brasure. L'épaisseur (t2) de la section de conducteur (210a) comprenant la zone de liaison (215a) est rendue plus fine que l'épaisseur (t1) de la section de bar omnibus (205a). Ainsi, une structure de connexion de câblage dans laquelle l'électrode et la barre omnibus d'un élément semi-conducteur peuvent être directement liées électriquement et une contrainte thermique au niveau des sections de liaison à la fois de l'électrode et de la barre omnibus peut être relâchée, est fournie.