MAGNETIC SUBSTANCE DEVICE, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY

• Main Author: KATOU, YUUKOU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 28.08.2008
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a magnetic substance device comprising an antiferromagnetic substance layer (1) and a pin layer (2) formed over the layer (1). The pin layer (2) has a laminated structure, in which magnetic substance layers (3) and at least one non-magnetic layer (4) are alternately laminated. The two adjoining magnetic substance layers (3) are ferromagnetically or antiferromagnetically coupled to each other through the non-magnetic layer (4). The total of the magnetizations of the magnetic substance layers (3) contained in the pin layer (2) is zero. Moreover, the magnetic substance layers (3) include a first magnetic substance layer (3-1) to contact the antiferromagnetic layer (1), and a second magnetic substance layer (3-2) positioned at the longest distance from the antiferromagnetic substance layer (1). The second magnetic substance layer (3-2) has a thickness (T2) smaller than the thickness (T1) of the first magnetic substance layer (3-1). Cette invention concerne un dispositif à substance magnétique comprenant une couche de substance antiferromagnétique (1) et une couche de broche (2) formée par dessus la couche (1). La couche de broche (2) présente une structure stratifiée dans laquelle les couches de substance magnétique (3) et au moins une couche non magnétique (4) sont intercalées. Les deux couches de substance magnétique (4) contiguës sont couplées l'une à l'autre de manière ferromagnétique ou antiferromagnétique par l'intermédiaire de la couche non magnétique (4). Le total des magnétisations des couches (3) de substance magnétique contenues dans la couche de broche (2) est égal à zéro. En outre, les couches de substance magnétique (3) comprennent une première couche de substance magnétique (3-1) pour entrer en contact avec la couche antiferromagnétique (1), et une seconde couche de substance magnétique (3-2) placée sur la distance la plus longue depuis la couche de substance antiferromagnétique (1). La seconde couche de substance magnétique (3-2) présente une épaisseur (T2) inférieure à l'épaisseur (T1) de la première couche de substance magnétique (3-1).