FORMATION OF MASKS/RETICLES HAVING DUMMY FEATURES

• Main Authors: LANDIS, HOWARD, S, SUCHARITAVES, JEANNE-TANIA, KUMAR, AMIT
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 09.10.2008
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CALCULATING; CINEMATOGRAPHY; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

Structures and methods for forming the same. The method (200) includes providing design information of a design layer (100a). The design layer (100a) includes M original design features (140) and N original dummy features (150). The method further includes (i) creating a cluster (300) of P representative dummy features (310), P being a positive integer less than N, (ii) performing OPC for the cluster of the P representative dummy features (310) but not for the N original dummy features (150), resulting in P OPC-applied representative dummy features (320), and (iii) forming the mask including N mask dummy features. The N mask dummy features are identical. Each mask dummy feature of the N mask dummy features of the mask has an area which is a function of at least an area of an OPC-applied representative dummy feature (320) of the P OPC-applied representative dummy features (320). The N mask dummy features have the same relative positions as the N original dummy feature (150). L'invention concerne des structures et des procédés pour les former. Le procédé (200) comprend le fait de fournir des informations de conception d'une couche de conception (100a). La couche de conception (100a) comprend des éléments de conception originaux M (140) et N éléments fictifs originaux (150). Le procédé comprend en outre (i) le fait de créer un amas (300) de P éléments fictifs représentatifs (310), P étant un nombre entier positif inférieur à N, (ii) le fait de réaliser un OPC pour l'amas de P éléments fictifs représentatifs (310) mais pas pour les N éléments fictifs originaux (150), qui se traduit par P éléments fictifs représentatifs appliqués par OPC (320) et (iii) le fait de former le masque comprenant les N éléments fictifs de masque. Les N éléments fictifs de masque sont identiques. Chacun des N éléments fictifs du masque a une zone qui est une fonction d'au moins une zone d'un élément fictif représentatif appliqué par OPC (320) des P éléments fictifs représentatifs appliqués par OPC (320). Les N éléments fictifs de masque ont les mêmes positions relatives que le N élément fictif original (150).