SEMICONDUCTOR DEVICE

Stress and arrangement of a film at the periphery of a gate electrode is optimized to apply a large stress (strain) to a channel region. Thus, carrier mobility of a MOSFET is improved. Provided is an n-channel MOSFET having (1) a compression stress film only on the gate electrode, or (2) a tensile s...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors NAKAMURA, HIDETATSU, MANABE, KENZO
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 14.08.2008
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
Abstract Stress and arrangement of a film at the periphery of a gate electrode is optimized to apply a large stress (strain) to a channel region. Thus, carrier mobility of a MOSFET is improved. Provided is an n-channel MOSFET having (1) a compression stress film only on the gate electrode, or (2) a tensile stress film only on a gate side wall and a source/drain region, or (3) a compression stress film on the gate electrode and a tensile stress film on the gate side wall and the source/drain region. A p-channel MOSFET is provided with (A) a tensile stress film only on the gate electrode, or (B) a compression stress film only on the gate side wall and the source/drain region, or (C) a tensile stress film on the gate electrode and a compression stress film on the gate side wall source/drain region. La contrainte et l'agencement d'un film à la périphérie d'une électrode de grille sont optimisés pour appliquer une contrainte large (déformation) à une région de canal. Ainsi, la mobilité des porteurs d'un transistor à effet de champ métal-oxyde semi-conducteur (MOSFET) est améliorée. Il est proposé un MOSFET à canal n ayant (1) un film de contrainte de compression uniquement sur l'électrode de grille, ou (2) un film de contrainte de traction uniquement sur une paroi latérale de grille et une région de source/drain, ou (3) un film de contrainte de compression sur l'électrode de grille et un film de contrainte de traction sur la paroi latérale de grille et la région de source/drain. Un MOSFET à canal p comporte (A) un film de contrainte de traction uniquement sur l'électrode de grille, ou (B) un film de contrainte de compression uniquement sur la paroi latérale de grille et la région de source/drain, ou (C) un film de contrainte de traction sur l'électrode de grille et un film de contrainte de compression sur la région de source/drain de la paroi latérale de grille.
AbstractList Stress and arrangement of a film at the periphery of a gate electrode is optimized to apply a large stress (strain) to a channel region. Thus, carrier mobility of a MOSFET is improved. Provided is an n-channel MOSFET having (1) a compression stress film only on the gate electrode, or (2) a tensile stress film only on a gate side wall and a source/drain region, or (3) a compression stress film on the gate electrode and a tensile stress film on the gate side wall and the source/drain region. A p-channel MOSFET is provided with (A) a tensile stress film only on the gate electrode, or (B) a compression stress film only on the gate side wall and the source/drain region, or (C) a tensile stress film on the gate electrode and a compression stress film on the gate side wall source/drain region. La contrainte et l'agencement d'un film à la périphérie d'une électrode de grille sont optimisés pour appliquer une contrainte large (déformation) à une région de canal. Ainsi, la mobilité des porteurs d'un transistor à effet de champ métal-oxyde semi-conducteur (MOSFET) est améliorée. Il est proposé un MOSFET à canal n ayant (1) un film de contrainte de compression uniquement sur l'électrode de grille, ou (2) un film de contrainte de traction uniquement sur une paroi latérale de grille et une région de source/drain, ou (3) un film de contrainte de compression sur l'électrode de grille et un film de contrainte de traction sur la paroi latérale de grille et la région de source/drain. Un MOSFET à canal p comporte (A) un film de contrainte de traction uniquement sur l'électrode de grille, ou (B) un film de contrainte de compression uniquement sur la paroi latérale de grille et la région de source/drain, ou (C) un film de contrainte de traction sur l'électrode de grille et un film de contrainte de compression sur la région de source/drain de la paroi latérale de grille.
Author MANABE, KENZO
NAKAMURA, HIDETATSU
Author_xml – fullname: NAKAMURA, HIDETATSU
– fullname: MANABE, KENZO
BookMark eNrjYmDJy89L5WQQCXb19XT293MJdQ7xD1JwcQ3zdHblYWBNS8wpTuWF0twMym6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXx4f5GBgYWBpZmphbmjobGxKkCAMwMIXI
ContentType Patent
DBID EVB
DatabaseName esp@cenet
DatabaseTitleList
Database_xml – sequence: 1
  dbid: EVB
  name: esp@cenet
  url: http://worldwide.espacenet.com/singleLineSearch?locale=en_EP
  sourceTypes: Open Access Repository
DeliveryMethod fulltext_linktorsrc
Discipline Medicine
Chemistry
Sciences
DocumentTitleAlternate DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
ExternalDocumentID WO2008096587A1
GroupedDBID EVB
ID FETCH-epo_espacenet_WO2008096587A13
IEDL.DBID EVB
IngestDate Fri Jul 19 12:03:51 EDT 2024
IsOpenAccess true
IsPeerReviewed false
IsScholarly false
Language English
French
Japanese
LinkModel DirectLink
MergedId FETCHMERGED-epo_espacenet_WO2008096587A13
Notes Application Number: WO2008JP50686
OpenAccessLink https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20080814&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2008096587A1
ParticipantIDs epo_espacenet_WO2008096587A1
PublicationCentury 2000
PublicationDate 20080814
PublicationDateYYYYMMDD 2008-08-14
PublicationDate_xml – month: 08
  year: 2008
  text: 20080814
  day: 14
PublicationDecade 2000
PublicationYear 2008
RelatedCompanies NEC CORPORATION
MANABE, KENZO
NAKAMURA, HIDETATSU
RelatedCompanies_xml – name: NEC CORPORATION
– name: MANABE, KENZO
– name: NAKAMURA, HIDETATSU
Score 2.8160417
Snippet Stress and arrangement of a film at the periphery of a gate electrode is optimized to apply a large stress (strain) to a channel region. Thus, carrier mobility...
SourceID epo
SourceType Open Access Repository
SubjectTerms BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Title SEMICONDUCTOR DEVICE
URI https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20080814&DB=EPODOC&locale=&CC=WO&NR=2008096587A1
hasFullText 1
inHoldings 1
isFullTextHit
isPrint
link http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwY2BQSTQzSjVOTjPRNUk2NAN2UEwMdJOMkkE7lkHXXaUZpxmkgVf5-pl5hJp4RZhGMDHkwPbCgM8JLQcfjgjMUcnA_F4CLq8LEINYLuC1lcX6SZlAoXx7txBbFzVY7xh0j4SJmouTrWuAv4u_s5qzM7DfpuYXBJEDHXRi7gjsK7GCGtKgk_Zdw5xA-1IKkCsVN0EGtgCgeXklQgxMWYnCDJzOsLvXhBk4fKFT3kAmNPcVizCIBIMCzd_PJdQ5xD9IwcU1zNPZVZRB2c01xNlDF2h8PNw38eH-yG4xFmNgAfbzUyUYFNKMkpMsjVOALTSTZJNUs-TEJEsLCzNLE6MUo5RkYC0vySCDzyQp_NLSDFyQpQ7ATqOJDANLSVFpqiywPi1JkgMHAwCLWXUV
link.rule.ids 230,309,786,891,25594,76904
linkProvider European Patent Office
linkToHtml http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwY2BQSTQzSjVOTjPRNUk2NAN2UEwMdJOMkkE7lkHXXaUZpxmkgVf5-pl5hJp4RZhGMDHkwPbCgM8JLQcfjgjMUcnA_F4CLq8LEINYLuC1lcX6SZlAoXx7txBbFzVY7xh0j4SJmouTrWuAv4u_s5qzM7DfpuYXBJEDHXRi7gjsK7GaAzuFoJP2XcOcQPtSCpArFTdBBrYAoHl5JUIMTFmJwgyczrC714QZOHyhU95AJjT3FYswiASDAs3fzyXUOcQ_SMHFNczT2VWUQdnNNcTZQxdofDzcN_Hh_shuMRZjYAH281MlGBTSjJKTLI1TgC00k2STVLPkxCRLCwszSxOjFKOUZGAtL8kgg88kKfzS8gycHiG-PvE-nn7e0gxckGUPwA6kiQwDS0lRaaossG4tSZIDBwkAKlF4AA
openUrl ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft.title=SEMICONDUCTOR+DEVICE&rft.inventor=NAKAMURA%2C+HIDETATSU&rft.inventor=MANABE%2C+KENZO&rft.date=2008-08-14&rft.externalDBID=A1&rft.externalDocID=WO2008096587A1