SEMICONDUCTOR DEVICE

Stress and arrangement of a film at the periphery of a gate electrode is optimized to apply a large stress (strain) to a channel region. Thus, carrier mobility of a MOSFET is improved. Provided is an n-channel MOSFET having (1) a compression stress film only on the gate electrode, or (2) a tensile s...

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Main Authors NAKAMURA, HIDETATSU, MANABE, KENZO
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 14.08.2008
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Summary:Stress and arrangement of a film at the periphery of a gate electrode is optimized to apply a large stress (strain) to a channel region. Thus, carrier mobility of a MOSFET is improved. Provided is an n-channel MOSFET having (1) a compression stress film only on the gate electrode, or (2) a tensile stress film only on a gate side wall and a source/drain region, or (3) a compression stress film on the gate electrode and a tensile stress film on the gate side wall and the source/drain region. A p-channel MOSFET is provided with (A) a tensile stress film only on the gate electrode, or (B) a compression stress film only on the gate side wall and the source/drain region, or (C) a tensile stress film on the gate electrode and a compression stress film on the gate side wall source/drain region. La contrainte et l'agencement d'un film à la périphérie d'une électrode de grille sont optimisés pour appliquer une contrainte large (déformation) à une région de canal. Ainsi, la mobilité des porteurs d'un transistor à effet de champ métal-oxyde semi-conducteur (MOSFET) est améliorée. Il est proposé un MOSFET à canal n ayant (1) un film de contrainte de compression uniquement sur l'électrode de grille, ou (2) un film de contrainte de traction uniquement sur une paroi latérale de grille et une région de source/drain, ou (3) un film de contrainte de compression sur l'électrode de grille et un film de contrainte de traction sur la paroi latérale de grille et la région de source/drain. Un MOSFET à canal p comporte (A) un film de contrainte de traction uniquement sur l'électrode de grille, ou (B) un film de contrainte de compression uniquement sur la paroi latérale de grille et la région de source/drain, ou (C) un film de contrainte de traction sur l'électrode de grille et un film de contrainte de compression sur la région de source/drain de la paroi latérale de grille.
Bibliography:Application Number: WO2008JP50686