MAGNETIC SPEED, DIRECTION, AND/OR MOVEMENT EXTENT SENSOR
A first magnetic sensor (40) produces a first output signal in response to movement of a target (14) such as a multi-pole ring magnet, and a second magnetic sensor (42) produces a second output signal in response to movement of the target (14). The first and second magnetic sensors may be correspond...
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Format | Patent |
Language | English French |
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24.12.2008
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Summary: | A first magnetic sensor (40) produces a first output signal in response to movement of a target (14) such as a multi-pole ring magnet, and a second magnetic sensor (42) produces a second output signal in response to movement of the target (14). The first and second magnetic sensors may be corresponding magnetoresistor sensors, the first and second magnetic sensors may be intertwined, the first and second magnetic sensors may be oriented at an angle with respect to one another so as to produce a difference in phase between the first and second output signals, the first and second magnetic sensors may be arranged so as to produce a 900 phase difference between the first and second output signals, and/or the first and second magnetic sensors may be formed on a semiconductor substrate.
Un premier capteur magnétique produit un premier signal de sortie en réponse au mouvement d'une cible telle qu'un aimant annulaire multipolaire et un deuxième capteur magnétique produit un deuxième signal de sortie en réponse au mouvement de la cible. Le premier et le deuxième capteur magnétique peuvent être des capteurs à magnétorésistance, le premier et le deuxième capteur magnétique peuvent être entrelacés, le premier et le deuxième capteur magnétique peuvent être orientés selon un angle l'un par rapport à l'autre de manière à produire une différence de phase entre le premier et le deuxième signal de sortie, le premier et le deuxième capteur peuvent être disposés de manière à produire une différence de phase de 90 degrés entre le premier et le deuxième signal de sortie, et/ou le premier et le deuxième capteur magnétique peuvent être formés sur un substrat semi-conducteur. |
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Bibliography: | Application Number: WO2008US51901 |