PROCESS FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: HIROTA, RYU, KAWASE, TOMOHIRO, UEMATSU, KOJI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.07.2008
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

This invention provides a process for producing a large-size group III nitride crystal in which the dislocation density of at least the surface thereof is wholly low. The production process is characterized in that it comprises the step of providing a base substrate (1) comprising a group III nitride seed crystal having a main area (1s) and a polarity reversed area (1t) having polarity reversed in direction to the main area (1s), and the step of growing a group III nitride crystal (10) by a liquid phase method on the main area (1s) and the polarity reversed area (1t) in the base substrate (1), and a first area (10s) having a higher growth rate of the group III nitride crystal (10) grown on the main area (1s) covers a second area (10t) having a lower growth rate of the group III nitride crystal (10) grown on the polarity reversed area (1t). Cette invention porte sur un procédé de fabrication d'un cristal de nitrure du groupe III de grande dimension, dans lequel la densité de dislocation d'au moins la surface de celui-ci est entièrement faible. Le procédé de fabrication est caractérisé par le fait qu'il comprend l'étape consistant à se procurer un substrat de base (1) comprenant un cristal d'ensemencement de nitrure du groupe III ayant une zone principale (1s) et une zone à polarité inverse (1t) ayant une polarité inversée en direction par rapport à la zone principale (1s), et l'étape consistant à développer un cristal de nitrure du groupe III (10) par un procédé en phase liquide sur la zone principale (1s) et la zone à polarité inversée (1t) dans le substrat de base (1), et une première zone (10s) ayant une vitesse de croissance supérieure du cristal de nitrure du groupe III (10) développée sur la zone principale (1s) recouvre une seconde zone (10t) ayant une vitesse de croissance inférieure du cristal de nitrure du groupe III (10) développée sur la zone à polarité inversée (1t).