MULTI-STEP PHOTOMASK ETCHING WITH CHLORINE FOR UNIFORMITY CONTROL

• Main Authors: ANDERSON, SCOTT A, KOCH, RENEE
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 07.08.2008
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

Methods for etching quartz are provided herein. In one embodiment, a method of etching quartz includes providing a film stack on a substrate support disposed in a processing chamber, the film stack having a quartz layer partially exposed through a patterned layer; and etching the quartz layer of the film stack in a multi-step process including a first step of etching the quartz layer utilizing a first process gas comprising at least one fluorocarbon process gas and a chlorine-containing process gas; and a second step of etching the quartz layer utilizing a second process gas comprising at least one fluorocarbon process gas. L'invention concerne des procédés pour graver du quartz. Dans un mode de réalisation, un procédé de gravure du quartz comprend la fourniture d'un empilement de films sur un support de substrat disposé dans une chambre de traitement, l'empilement de films ayant une couche de quartz exposée partiellement à travers une couche formée en motif ; et la gravure de la couche de quartz de l'empilement de films dans un procédé multi étape comprenant une première étape de gravure de la couche de quartz en employant un premier gaz de traitement comprenant au moins un gaz de traitement fluorocarboné et un gaz de traitement contenant du chlore ; et une seconde étape de gravure de la couche de quartz en employant un second gaz de traitement comprenant au moins un gaz de traitement fluorocarboné.