LEVEL SHIFT CIRCUIT, LEVEL SHIFT CIRCUIT DRIVING METHOD, AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT APPARATUS HAVING LEVEL SHIFT CIRCUIT
A level shift circuit wherein no surplus currents occur. The level shift circuit comprises a level shift part that is connected to a high potential power supply for generating a high potential, a low potential power supply for generating a low potential and to a ground power supply for generating a...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
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19.06.2008
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Summary: | A level shift circuit wherein no surplus currents occur. The level shift circuit comprises a level shift part that is connected to a high potential power supply for generating a high potential, a low potential power supply for generating a low potential and to a ground power supply for generating a ground potential, receives and converts a low potential signal, the amplitude of which is between the low potential and the ground potential, to a high potential signal the amplitude of which is between the high potential and the ground potential and that outputs the high potential signal; an inverter part that inverts and amplifies the high potential signal from the level shift part; and an N-type MOS transistor that is series connected to the inverter part between the high potential power supply and the ground power supply, has its gate electrode connected to the low potential power supply and that supplies the ground potential to the inverter part. Additionally, this level circuit can be used to provide a semiconductor circuit apparatus wherein no surplus currents occur independently of the order in which the analog and logic power supplies are turned on.
La présente invention concerne un circuit de commutation de niveau dans lequel aucun surplus de courant n'apparaît. Le circuit de commutation de niveau comprend une partie de commutation de niveau qui est reliée à une alimentation électrique à potentiel élevé pour générer un potentiel élevé, une alimentation électrique à potentiel faible pour générer un potentiel faible et une alimentation électrique de mise à la terre pour fournir un potentiel de mise à la terre, reçoit et convertit un signal à potentiel faible, dont l'amplitude est comprise entre le potentiel faible et le potentiel de mise à la terre, en un signal à potentiel élevé dont l'amplitude est comprise entre le potentiel élevé et le potentiel de mise à la terre et fournit en sortie le signal à potentiel élevé ; une partie d'inversion qui inverse et amplifie le signal à potentiel élevé depuis la partie de commutation de niveau ; et une résistance MOS de type N qui est reliée en série à la partie d'inversion entre l'alimentation électrique à potentiel élevé et l'alimentation électrique de mise à la terre, et son électrode de porte est connectée à l'alimentation électrique à faible potentiel et il fournit le potentiel de mise à la terre à la partie d'inversion. En outre, ce circuit de niveau peut être utilisé pour fournir un dispositif de circuit semi-conducteur dans lequel aucun surplus de courant n'apparaît indépendamment de l'ordre selon lequel les alimentations électriques analogiques et logiques sont activées. |
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Bibliography: | Application Number: WO2006JP324519 |