APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURED BY THE METHOD

• Main Author: OCHI, HISAO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.06.2008
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A semiconductor element manufacturing apparatus is provided with processing chambers (C1-C3) for storing flexible substrates (10) which are step-transferred by each effective region; a first electrode (Hb) and a second electrode (Hc) arranged in each of the processing chambers (C1-C3); and a mask section (23a) opened to expose the effective region when each effective region of the flexible substrate (10) is transferred between the first electrode (Hb) and the second electrode (Hc). Each of the processing chambers (C1-C3) is provided with a plasma processing section for performing plasma processing to the effective region of the flexible substrate (10) exposed from the opened portion of the mask section (23a); a first standby section where the effective region of the flexible substrate (10) prior to plasma processing is arranged by being superposed on the carry-in side of the mask section (23a); and a second standby section where the effective region of the flexible substrate (10) after plasma processing is arranged by being superposed on the carry-out side of the mask section (23a). La présente invention se rapporte à un appareil de fabrication d'élément semi-conducteur qui comporte des chambres de traitement (C1 à C3) pour stocker des substrats flexibles (10) qui sont transférés par étape par chaque région effective ; une première électrode (Hb) et une seconde électrode (Hc) agencées dans chacune des chambres de traitement (C1 à C3) ; et une section de masque (23a) ouverte pour exposer la région effective lorsque chaque région effective du substrat flexible (10) est transférée entre la première électrode (Hb) et la seconde électrode (Hc). Chacune des chambres de traitement (C1 à C3) comporte une section de traitement par plasma pour réaliser un traitement par plasma sur la région effective du substrat flexible (10) exposée depuis la partie ouverte de la section de masque (23a) ; une première section de repos où la région effective du substrat flexible (10) avant le traitement par plasma est agencée en étant superposée sur le côté d'entrée de la section de masque (23a) ; et une seconde section de repos où la région effective du substrat flexible (10) après le traitement par plasma est agencée en étant superposée sur le côté de sortie de la section de masque (23a).