REFLOW METHOD, PATTERN-FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING TFT

• Main Author: ASOU, YUTAKA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 15.05.2008
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

There is prepared an object to be processed which has a foundation layer film and a resist film pattern-formed above the foundation layer film so as to have an exposed region where the foundation layer film is exposed and a covered region where the foundation layer film is covered. Next, the object to be processed is locally irradiated with light, and then the resist film is softened and flowed to partially or entirely cover the exposed region. After that, etching is performed by using the flowed resist as a mask, thereby forming a certain pattern. Cette invention propose un objet devant être traité qui a un film de couche de fondation et un film de réserve formé avec motif au-dessus du film de couche de fondation de façon à avoir une région exposée où le film de couche de fondation est exposé et une région couverte où le film de couche de fondation est couvert. Ensuite, l'objet devant être traité est localement irradié par de la lumière, puis le film de réserve est ramolli et coulé pour couvrir partiellement ou entièrement la région exposée. Après ceci, une attaque est effectuée à l'aide de la réserve coulée sous forme de masque, formant ainsi un certain motif.