LOW NOISE AMPLIFIER HAVING IMPROVED LINEARITY

Embodiments of the present general inventive concept include a low noise amplifier and method with an improved linearity while reducing a noise disadvantage (e.g., increase). One embodiment of a low noise amplifier can include a first transistor to receive an input signal at a control terminal there...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors LEE, DEOK HEE, SONG, EUN SEOK, LEE, KYEONG HO, PARK, JOON BAE, LEE, SEUNG WOOK
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 08.05.2008
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:Embodiments of the present general inventive concept include a low noise amplifier and method with an improved linearity while reducing a noise disadvantage (e.g., increase). One embodiment of a low noise amplifier can include a first transistor to receive an input signal at a control terminal thereof, a second transistor having a first terminal coupled to a second terminal of the first transistor, an envelope detector to output a control signal corresponding to a characteristic of the input signal and an envelope amplifier to amplify the control signal to be applied to a control terminal of the second transistor. L'invention concerne des modes de réalisation du présent concept général de l'invention qui comprend un procédé et un amplificateur à faible niveau de bruit présentant une amélioration de la linéarité tout en réduisant l'un des inconvénients associés au niveau de bruit (par exemple, une augmentation). Un mode de réalisation d'un amplificateur à faible niveau de bruit peut comporter un premier transistor permettant de recevoir un signal d'entrée au niveau de sa borne de commande, un second transistor comprenant une première borne raccordée à une seconde borne du premier transistor, un détecteur d'enveloppe permettant de produire un signal de commande correspondant à une caractéristique du signal d'entrée et un amplificateur d'enveloppe permettant d'amplifier le signal de commande à appliquer à une borne de commande du second transistor.
Bibliography:Application Number: WO2007US22835