WAFER-LEVEL FABRICATION OF LIDDED CHIPS WITH ELECTRODEPOSITED DIELECTRIC COATING

• Main Authors: GRINMAN, ANDREY, HABA, BELGACEM, HECHT, ILYA, HUMPSTON, GILES, ROSENSTEIN, CHARLES, OGANESIAN, VAGE, HAZANOVICH, FELIX, OVRUTSKY, DAVID, DAYAN, AVI, AKSENTON, YULIA
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 08.05.2008
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A unit including a semiconductor element, e.g., a chip-scale package (350, 1350) or an optical sensor unit (10) is fabricated. A semiconductor element (300) has semiconductive or conductive material (316) exposed at at least one of the front (302) and rear surfaces (114) and conductive features (310) exposed thereat which are insulated from the semiconductive or conductive material. By electrodeposition, an insulative layer (304) is formed to overlie the at least one of exposed semiconductive material or conductive material. Subsequently, a plurality of conductive contacts (308) and a plurality of conductive traces (306) are formed overlying the electrodeposited insulative layer (304) which connect the conductive features (310) to the conductive contacts (308). An optical sensor unit (10) can be incorporated in a camera module (1030) having an optical element (1058) in registration with an imaging area (1026) of the semiconductor element (1000). L'invention concerne la fabrication d'une unité contenant un élément semi-conducteur, par exemple, un boîtier-puce (350, 1350) ou une unité de capteur optique (10). Un élément semi-conducteur (300) comporte un matériau semi-conducteur ou conducteur (316) exposé sur au moins l'une des surfaces avant (302) et arrière (114) et des éléments conducteurs (310) qui y sont exposés et qui sont isolés du matériau semi-conducteur ou conducteur. Une couche isolante (304) est formée par électrodéposition pour recouvrir le ou les matériaux semi-conducteurs ou conducteurs exposés. Ultérieurement, une pluralité de contacts conducteurs (308) et une pluralité de pistes conductrices (306) sont formées de manière à recouvrir la couche isolante (304) formée par électrodéposition et raccordent les éléments conducteurs (310) aux contacts conducteurs (308). Une unité de capteur optique (10) peut être incorporée dans un module d'appareil photo (1030) comportant un élément optique (1058) qui coïncide avec une surface formatrice d'image (1026) de l'élément semi-conducteur (1000).