LOW-COST ELECTROSTATIC CLAMP WITH FAST DECLAMP TIME AND THE MANUFACTURE

A method for manufacturing a semiconductor wafer electrostatic clamp, comprising providing a mounting plate, forming an insulative layer on an insulating portion of the mounting plate, forming a first electrode on a first portion of the mounting plate, forming a second electrode on a second portion...

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Main Authors PHARAND, MICHEL, LAFONTAINE, MARVIN, BECKER, KLAUS, RUBIN, LEONARD
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 31.07.2008
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Summary:A method for manufacturing a semiconductor wafer electrostatic clamp, comprising providing a mounting plate, forming an insulative layer on an insulating portion of the mounting plate, forming a first electrode on a first portion of the mounting plate, forming a second electrode on a second portion of the mounting plate, forming a first segment having a first conductivity over the first electrode, forming a first region having a second conductivity over the first segment that creates an n-p type composite, forming a second segment having a third conductivity formed over the over the second electrode, forming a second region having a fourth conductivity formed over the second region that creates an p-n type composite. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une bride électrostatique pour tranche de semiconducteurs, comprenant l'utilisation d'une plaque de montage, la formation d'une couche d'isolation sur une partie isolante de la plaque de montage, la formation d'une première électrode sur une première partie de la plaque de montage, la formation d'une seconde électrode sur une seconde partie de la plaque de montage, la formation d'un premier segment présentant une première conductivité sur la première électrode, la formation d'une première zone présentant une seconde conductivité sur le premier segment, ce qui crée un composite de type n-p, la formation d'un second segment présentant une troisième conductivité formé sur le dessus de la seconde électrode, la formation d'une seconde zone présentant une quatrième conductivité formée sur la seconde zone et qui crée un composite de type p-n.
Bibliography:Application Number: WO2007US21614