SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

• Main Authors: YATSUO, TSUTOMU, KATO, MAKOTO, HARADA, SHINSUKE, OKAMOTO, MITSUO, FUKUDA, KENJI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.04.2008
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In an SiC vertical MOSFET having a channel region and an electron conduction path of an opposite n-type by ion implantation in a lightly doped p-type deposition film, a portion with the narrow channel region is produced due to poor alignment precision of an implantation mask, and since breakdown voltage deteriorates, it is difficult to satisfy both low on resistance and high breakdown voltage. In the invention, second opposite type layers (41, 42) are provided on the right and left sides of a opposite type layer (40), which is to be the electron conduction path, at positions of equidistance from the layer (40) and these opposite type layers are formed by simultaneous ion implantation using the same mask, thus making the interval of channel regions uniform entirely in an element. Dans un MOSFET vertical en SiC comportant une région de canal et un trajet conducteur d'électrons d'un type n opposé par implantation ionique dans un film de dépôt du type p légèrement dopé, une partie comportant la région de canal étroite est produite en raison de la mauvaise précision d'alignement d'un masque d'implantation, et étant donné que la tension de claquage se dégrade, il est difficile de satisfaire à la fois une faible résistance à l'état passant et une tension de claquage élevée. Selon l'invention, des secondes couches de type opposé (41, 42) sont formées sur les côtés gauche et droit d'une couche du type opposé (40), qui doit représenter le trajet conducteur d'électrons, en des endroits équidistants de la couche (40) et ces couches de type opposé sont formées par une implantation ionique simultanée à l'aide du même masque, formant ainsi l'intervalle des régions de canal uniforme entièrement dans un élément.