SHIELDING FLOATING GATE TUNNELING ELEMENT STRUCTURE

• Main Authors: CARUSO, JOHN M, KALNITSKY, ALEXANDER
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 28.02.2008
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

A method and corresponding structure for shielding a floating gate tunneling element. The method comprises disposing a floating gate over a gate oxide using standard CMOS processing in two active areas defined by first and second doped well regions formed in a substrate surrounded by field oxide, and forming a floating gate shield layer so as to enclose the floating gate. The floating gate includes a first floating gate portion over an active area in the first doped well region and a second floating gate portion over the active area in the second doped well region. The first floating gate portion is substantially smaller than the second floating gate portion so as to enable adequate voltage coupling for Fowler-Nordheim tunneling to occur between the first doped well region and the first floating gate portion. The direction of tunneling is determined by high voltage application to one of the doped well regions. Le procédé selon l'invention et la structure correspondante permettent de blinder un élément à effet tunnel de grille flottante. Le procédé comprend la disposition d'une grille flottante sur un oxyde de grille à l'aide d'un traitement CMOS standard dans deux zones actives définies par des première et seconde régions de puits dopées formées dans un substrat entouré d'oxyde de champ, et la formation d'une couche de blindage de grille flottante de manière à encercler la grille flottante. La grille flottante inclut une première partie de grille flottante sur une zone active dans la première région de puits dopée et une seconde partie de grille flottante sur la zone active dans la seconde région de puits dopée. La première partie de grille flottante est sensiblement plus petite que la seconde partie de grille flottante de manière à permettre qu'un couplage de tension adéquat pour l'effet tunnel de Fowler-Nordheim se produise entre la première région de puits dopée et la première partie de grille flottante. La direction de l'effet tunnel est déterminée par une application à haute tension à l'une des régions de puits dopées.